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J-GLOBAL ID：200903065981805321

基板の製造方法

Inventor：
東 正信

About 東 正信


Applicant, Patent owner：
株式会社トクヤマ

About 株式会社トクヤマ


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001396148
Publication number (International publication number)：2003192494
Application date： Dec. 27, 2001
Publication date： Jul. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】 窒化物半導体となる窒化ガリウム(GaN)等の窒化物結晶を製造する際の基板として好適に使用できる、表面に窒化アルミニウム結晶層を有するサファイヤ基板を、プラズマ発生装置等の特殊な装置を使用することなく、効率的且つ簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】 単結晶サファイヤ基板の表面にカーボンブラック等のカーボン材料を塗布するなどして、反応中にサファイヤ基板表面が炭素と接触するよう西ながら窒素ガス又はアンモニアガス雰囲気中で加熱して当該表面を窒素化することにより、0.005〜50μmの厚さの結晶質窒化アルミニウムからなる層が3kgf/mm2以上の密着強度で接合したサファイヤ基板を製造する。
Claim (excerpt)：
単結晶サファイヤ基板の表面を炭素又は炭素原子含有化合物の存在下に窒素化することを特徴とする表面に結晶質窒化アルミニウムからなる層を有するサファイヤ基板の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/20 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (3)：
C30B 29/20 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
F-Term (13)：
4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077FB06 ,  4G077FE02 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AC15 ,  5F045AD18 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045DA61 ,  5F052JA08 ,  5F052KA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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