半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997059222
Publication number (International publication number)：1998256597
Application date： Mar. 13, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】発光素子に逆方向の電圧が印加されても、また交流電圧で駆動する場合にも、素子の破壊や劣化を抑制し、むしろ逆に交流電圧駆動により輝度が大幅に向上する半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に発光層を形成すべくn形層2およびp形層4を含む半導体層が積層される第1の発光部16と、前記基板上にまたは前記積層される半導体層の上にさらに発光層を形成すべくn形層9およびp形層7を含む半導体層が積層される第2の発光部17とを有し、前記第1の発光部のp形層および前記第2の発光部のn形層が電気的に接続され、かつ、前記第1の発光部のn形層および前記第2の発光部のp形層が電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含む半導体層が積層される第1の発光部と、前記基板上にまたは前記積層される半導体層の上にさらに発光層を形成すべくn形層およびp形層を含む半導体層が積層される第2の発光部とを有し、前記第1の発光部のp形層および前記第2の発光部のn形層が電気的に接続され、かつ、前記第1の発光部のn形層および前記第2の発光部のp形層が電気的に接続されてなる半導体発光素子。

FI (3)：

H01L 33/00 A , H01L 33/00 B , H01L 33/00 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭52-010090
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-175301 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-175302 Applicant：沖電気工業株式会社

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