半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995212394
Publication number (International publication number)：1997045938
Application date： Jul. 27, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】ソフトリカバリーさせる高速ダイオードと、その高速ダイオードを使用した半導体装置を提供する。【構成】第1の導電形で高濃度の第1の半導体層と、上記第1の半導体層上の形成された第1の導電形で低濃度の第2の半導体層と、上記第2の半導体層の表面からその内部に選択的に形成された第2の導電形で高濃度の第3の半導体層と、上記第3の半導体層の表面と上記第3の半導体層の相互間に形成される上記第2の半導体層のショート部の表面とを熱処理された第1の金属層とを設けた。

Claim (excerpt)：

第1の導電形で高濃度の第1の半導体層と、上記第1の半導体層上の形成された第1の導電形で低濃度の第2の半導体層と、上記第2の半導体層の表面からその内部に選択的に形成された第2の導電形で高濃度の第3の半導体層と、上記第3の半導体層の表面と上記第3の半導体層の相互間に形成される上記第2の半導体層のショート部の表面とを熱処理された第1の金属層とを設けた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/861 , H01L 29/872 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 29/91 C , H01L 29/48 M , H01L 29/78 653 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体整流素子およびその使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-067667 Applicant：富士電機株式会社
複合ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-248642 Applicant：株式会社三社電機製作所
特開平4-171769

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