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J-GLOBAL ID：200903066135527617

金属酸化膜の形成方法及び成膜処理システム

Inventor：
神力 博

About 神力 博

, 
細田 恵三

About 細田 恵三


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999288695
Publication number (International publication number)：2001110805
Application date： Oct. 08, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電気的特性の良好な金属酸化膜を少ない工程数で形成できる金属酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 被処理体Wの表面に気化状態の金属酸化膜原料と酸化性ガスの存在下の雰囲気中にて金属酸化膜の初期膜20を形成する初期膜形成工程と、前記被処理体を前記金属酸化膜の結晶化温度以上の温度に晒すようにした初期膜結晶化工程と、前記初期膜の表面に気化状態の金属酸化膜原料と酸化性ガスの存在下の雰囲気中にて金属酸化膜の主膜22を形成する主膜形成工程と、前記被処理体を前記金属酸化膜の結晶化温度以上の温度に晒すようにした主膜結晶化工程とを有する。これにより、電気的特性の良好な金属酸化膜を少ない工程数で形成することができる。
Claim (excerpt)：
被処理体の表面に気化状態の金属酸化膜原料と酸化性ガスの存在下の雰囲気中にて金属酸化膜の初期膜を形成する初期膜形成工程と、前記被処理体を前記金属酸化膜の結晶化温度以上の温度に晒すようにした初期膜結晶化工程と、前記初期膜の表面に気化状態の金属酸化膜原料と酸化性ガスの存在下の雰囲気中にて金属酸化膜の主膜を形成する主膜形成工程と、前記被処理体を前記金属酸化膜の結晶化温度以上の温度に晒すようにした主膜結晶化工程とを有することを特徴とする金属酸化膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56
FI (5)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56
F-Term (19)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030GA14 ,  4K030KA49 ,  4K030LA02 ,  4K030LA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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