Pat
J-GLOBAL ID：200903066139092208
半導体レーザ装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995109567
Publication number (International publication number)：1996307013
Application date： May. 08, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ウエハ状態で、簡便かつ制御性のよい窓構造が得られる半導体レーザ装置及びその製造方法の提供を目的とする。【構成】 本発明の半導体レーザ装置は、格子面(2,1,1)を有するn-GaAs基板26の上に結晶成長した結晶成長層2、10、11、12、6及び7の、レーザ光が出力される格子面(1,1,1)に窓層19を形成し、結晶成長層のうちのコンタクト層7の上面及びn-GaAs基板26の下面に設けた電極8及び9を形成した構成である。
Claim (excerpt)：
格子面{2,1,1}GaAs基板上に結晶成長した結晶成長層と、この結晶成長層の格子面{1,1,1}に形成した窓面と、この窓面に積層した窓層と、上記結晶成長層の上面及び上記GaAs基板の下面に設けた電極とを具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
