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J-GLOBAL ID：200903066139092208

半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 早藤 紀生 ,  元田 隆
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995109567
Publication number (International publication number)：1996307013
Application date： May. 08, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ状態で、簡便かつ制御性のよい窓構造が得られる半導体レーザ装置及びその製造方法の提供を目的とする。【構成】 本発明の半導体レーザ装置は、格子面(2,1,1)を有するn-GaAs基板26の上に結晶成長した結晶成長層2、10、11、12、6及び7の、レーザ光が出力される格子面(1,1,1)に窓層19を形成し、結晶成長層のうちのコンタクト層7の上面及びn-GaAs基板26の下面に設けた電極8及び9を形成した構成である。

Claim (excerpt)：

格子面{2,1,1}GaAs基板上に結晶成長した結晶成長層と、この結晶成長層の格子面{1,1,1}に形成した窓面と、この窓面に積層した窓層と、上記結晶成長層の上面及び上記GaAs基板の下面に設けた電極とを具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/318

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-197278   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体レーザとその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-092338   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭58-192394
  
• 特開平1-239891