パターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998305726
Publication number (International publication number)：2000133636
Application date： Oct. 27, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】フォトリソグラフィ工程を削減させて、半導体装置の製造工程を大幅に簡略化しその製造コストを大幅に低減させる。【解決手段】半導体装置の製造工程の中でレジストマスクをエッチングマスクに使用し被エッチング材料をパターニングした後、このレジストマスクを膨潤等により体積膨張させて別のエッチングマスクに変える。このようにすることで、1回のフォトリソグラフィ工程を通して、被エッチング材料に2種類のパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造工程において、被エッチング材料上に形成したレジストマスクをエッチングマスクにして前記被エッチング材料に第1のエッチングを施す工程と、前記第1のエッチングの工程後に前記レジストマスクを体積膨張させる工程と、前記体積膨張したレジストマスクをエッチングマスクにして前記被エッチング材料に第2のエッチングを施す工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/3065 , G03F 7/26 513 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027 , H01L 21/3205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8)：

H01L 21/302 J , G03F 7/26 513 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 575 , H01L 21/30 576 , H01L 21/88 F , H01L 29/78 627 C

F-Term (30)：

2H096AA25 , 2H096JA04 , 2H096KA25 , 5F004BD03 , 5F004DA04 , 5F004DA26 , 5F004DB09 , 5F004EA01 , 5F004EA04 , 5F004EA28 , 5F004EA30 , 5F004EB02 , 5F033HH09 , 5F033MM19 , 5F033QQ00 , 5F033QQ12 , 5F033QQ15 , 5F033QQ21 , 5F033QQ26 , 5F046AA11 , 5F046AA20 , 5F046LA18 , 5F046LA19 , 5F110AA16 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110QQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-117132
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041580 Applicant：株式会社日立製作所
深-UV、I-線またはE-ビームリソグラフ用の新規シリコン含有ネガレジスト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-159869 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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