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J-GLOBAL ID：200903066186882187

酸化物薄膜の成長方法

Inventor： ミッコ リタラ ,  アンッティ ラーツ ,  マルック レスケレ ,  カウポ ククリ
Applicant, Patent owner： エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ
Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000315409
Publication number (International publication number)：2001172767
Application date： Oct. 16, 2000
Publication date： Jun. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板上に酸化物薄膜を成長させる方法を提供する。【解決手段】 金属原料と酸素原料の交互表面反応で基板上に酸化物薄膜を堆積させるALD法の原理に従った酸化物薄膜の成長方法において、使用する該酸素原料が少なくとも1つの有機リガンドを有するホウ素、シリコンまたは金属の化合物であって、その酸素が少なくとも1つのホウ素、シリコンまたは金属原子に結合しているものである。

Claim (excerpt)：

金属原料と酸素原料の交互表面反応で基板上に酸化物薄膜を堆積させるALD法の原理に従った酸化物薄膜の成長方法において、使用する該酸素原料が少なくとも1つの有機リガンドを有するホウ素、シリコンまたは金属の化合物であって、その酸素が少なくとも1つのホウ素、シリコンまたは金属原子に結合しているものであることを特徴とする方法。

IPC (4)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/316

FI (4)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-023986   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-349107
  
• ジアルキルアルミニウムアルコキシドを用いた酸化アルミニウム膜の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-521175   Applicant：コリア・リサーチ・インスティチュート・オブ・ケミカル・テクノロジー