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J-GLOBAL ID:200903066281297100
アンバイポーラ物質を利用した電界効果トランジスタ及び論理回路
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (4):
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008135976
Publication number (International publication number):2008311643
Application date: May. 23, 2008
Publication date: Dec. 25, 2008
Summary:
【課題】アンバイポーラ物質を利用した電界効果トランジスタ及び論理回路を提供する。【解決手段】ソース領域、ドレイン領域及びその間のチャンネル領域を備え、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域が一体型で形成されたアンバイポーラ層と、チャンネル領域に形成されたゲート電極と、アンバイポーラ層からゲート電極を離隔させる絶縁層と、を備え、ソース領域からドレイン領域への第1方向と交差する第2方向において、ソース領域及びドレイン領域の幅がチャンネル領域の幅よりさらに広く形成される電界効果トランジスタである。【選択図】図2
Claim (excerpt):
ソース領域、ドレイン領域及びその間のチャンネル領域を備え、前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記チャンネル領域が一体型で形成されたアンバイポーラ層と、
前記チャンネル領域に形成されたゲート電極と、
前記アンバイポーラ層から前記ゲート電極を離隔させる絶縁層と、を備え、
前記ソース領域から前記ドレイン領域への第1方向と交差する第2方向において、前記ソース領域及びドレイン領域の幅が前記チャンネル領域の幅よりも広いことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6):
H01L 29/786
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 27/08
FI (9):
H01L29/78 622
, H01L27/04 A
, H01L29/78 616T
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617N
, H01L29/78 618E
, H01L29/78 613A
, H01L27/08 321C
, H01L27/08 331E
F-Term (26):
5F038CA05
, 5F038DF01
, 5F038EZ01
, 5F038EZ20
, 5F048AA08
, 5F048AB03
, 5F048AB04
, 5F048AC01
, 5F048AC04
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BC01
, 5F048BC15
, 5F048BD01
, 5F048BD02
, 5F048BD10
, 5F110BB04
, 5F110BB13
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110EE28
, 5F110GG01
, 5F110GG04
, 5F110GG19
, 5F110GG29
, 5F110HM04
Patent cited by the Patent:
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