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J-GLOBAL ID：200903066709965090

電界効果トランジスタ及びそれを使用した画像晶表示装置

Inventor：
秋元 肇

About 秋元 肇


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 鈴木 市郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001054932
Publication number (International publication number)：2002261288
Application date： Feb. 28, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 低い電圧でも充分に動作する電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】 n+ 高濃度不純物注入領域22とp+ 高濃度不純物注入領域23、i不純物非注入領域24、それにゲート電極20で構成されたTFTにおいて、ゲート電極20をi不純物非注入領域24の全領域に平面的に重ね合わされるようにして設けられているのではなくて、n+ 高濃度不純物注入領域22に接している方の端部に偏って、i不純物非注入領域24の略半分の領域にだけ平面的に重畳した形で設け、結晶欠陥や粒界に起因するチヤネルキャリア捕獲準位と、これに起因するポテンシャル障壁の影響が回避できるようにしたもの。
Claim (excerpt)：
第1と第2のソース領域に挟まれたチャネル領域にゲート電極を有する絶縁ゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル領域の一部に、前記ゲート電極が平面的に重ね合わされていない領域が設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 21/336
FI (9)：
G02F 1/1368 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 618 C
F-Term (34)：
2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092KA04 ,  2H092NA25 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BC03 ,  5F048BD01 ,  5F110AA09 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB13 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ30 ,  5F110HM12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM14 ,  5F110NN72
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
  • 特開平2-278771
  • 特開平2-278771
  • 特開平4-101462
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