半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001323914
Publication number (International publication number)：2003128494
Application date： Oct. 22, 2001
Publication date： May. 08, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体基板上に形成された高濃度のGe濃度を有する臨界膜厚以下の歪SiGe膜においても高い歪緩和度を達成し、貫通転位密度を低減し、その上に形成される第2のSiGe膜表面のうねりを抑制し、平滑性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供。【解決手段】 (a)表面がシリコンからなる基板上に臨界膜厚以下の膜厚で第1のSiGe膜を形成する工程と、(b)第1のSiGe膜上に第1のキャップ半導体膜を形成する工程と、(c)得られた基板に、イオン注入する工程と、(d)表面に第1のキャップ半導体膜を有する基板をアニールする工程と、(e)第1のキャップ半導体膜上に第2のSiGe膜を形成する工程と、(f)第2のSiGe膜上に第2のキャップ半導体膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

(a)表面がシリコンからなる基板上に臨界膜厚以下の膜厚で第1のSiGe膜を形成する工程と、(b)第1のSiGe膜上に第1のキャップ半導体膜を形成する工程と、(c)得られた基板にイオン注入する工程と、(d)表面に第1のキャップ半導体膜を有する基板をアニールする工程と、(e)第1のキャップ半導体膜上に第2のSiGe膜を形成する工程と、(f)第2のSiGe膜上に第2のキャップ半導体膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

C30B 29/06 504 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 27/12 , H01L 29/161 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (8)：

C30B 29/06 504 G , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 27/12 Z , H01L 29/163 , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 618 B , H01L 21/265 Q

F-Term (53)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EF01 , 4G077TC14 , 4G077TC16 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AD09 , 5F045AF03 , 5F045BB11 , 5F045DA62 , 5F045HA15 , 5F045HA16 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB05 , 5F052DB06 , 5F052DB07 , 5F052EA02 , 5F052GC01 , 5F052HA01 , 5F052HA06 , 5F110AA07 , 5F110AA18 , 5F110BB03 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG47 , 5F140AA05 , 5F140AA15 , 5F140AA24 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BC12 , 5F140CD01 , 5F140CD06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体基板の製造方法およびこれにより製造された半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-357158 Applicant：株式会社東芝
半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-011009 Applicant：名古屋大学長

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Strain relaxation of pseudomorphic Si1-xGex/Si(100) heterostructures after hydrogen or helium ion i

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