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J-GLOBAL ID:200903066401707561
耐還元性誘電体組成物及びそれを用いたセラミック電子部品
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001150518
Publication number (International publication number):2002338344
Application date: May. 21, 2001
Publication date: Nov. 27, 2002
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、静電容量の温度変化率がJIS規格B特性或いはEIA規格X7R特性を満足し、且つ誘電率が高く高容量域への商品展開が可能であり、しかも焼結助剤成分が偏析することなく主成分中に均一に分散し、中高圧用として優れた電気的特性が発現できる耐還元性誘電体組成物及びそれを用いたセラミック電子部品を提供することを目的する。【解決手段】 本発明の耐還元性誘電体組成物は、BETの比表面積値が2.0〜3.0m2/gの範囲内にあり、且つBa/Tiのモル比が0.993〜1.007の範囲内にある主成分であるBaTiO3に対して、添加物として金属の酸化物または焼成により金属の酸化物になる化合物を含有し、焼結助剤としてSiO2系の化合物を含有する。
Claim (excerpt):
BETの比表面積値が2.0〜3.0m2/gの範囲内にあり、且つBa/Tiのモル比が0.993〜1.007の範囲内にある主成分であるBaTiO3に対して、添加物として金属の酸化物または焼成により金属の酸化物になる化合物を含有し、焼結助剤としてSiO2系の化合物を含有することを特徴とする耐還元性誘電体組成物。
IPC (3):
C04B 35/46
, H01B 3/12 303
, H01G 4/12 358
FI (3):
C04B 35/46 D
, H01B 3/12 303
, H01G 4/12 358
F-Term (32):
4G031AA03
, 4G031AA04
, 4G031AA06
, 4G031AA07
, 4G031AA11
, 4G031AA19
, 4G031AA30
, 4G031AA39
, 4G031BA09
, 4G031BA26
, 4G031CA03
, 4G031CA04
, 4G031CA08
, 4G031GA02
, 4G031GA04
, 5E001AB03
, 5E001AE04
, 5G303AA01
, 5G303AB06
, 5G303AB11
, 5G303AB14
, 5G303AB20
, 5G303BA12
, 5G303CA01
, 5G303CB03
, 5G303CB17
, 5G303CB18
, 5G303CB30
, 5G303CB35
, 5G303CB41
, 5G303CC03
, 5G303DA06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-048556
Applicant:ティーディーケイ株式会社
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特開昭63-252909
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ゾルゲル法によるガラスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-204864
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
-
積層型セラミツクチツプコンデンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-200031
Applicant:テイーデイーケイ株式会社
-
誘電体磁器組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-324694
Applicant:松下電器産業株式会社
-
積層セラミックコンデンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-077411
Applicant:松下電器産業株式会社
-
耐還元性誘電体組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-331239
Applicant:松下電器産業株式会社
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