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J-GLOBAL ID:200903066697392102
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
, 岡本 正之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006136526
Publication number (International publication number):2007311404
Application date: May. 16, 2006
Publication date: Nov. 29, 2007
Summary:
【解決課題】 長時間の駆動においても安定な酸化物薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、活性層として少なくともホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(Mが、In,Fe,GaまたはAl原子であり、mが、1以上50未満の整数である。)を含むアモルファス酸化物半導体と、ソース電極と、ドレイン電極とを備えた薄膜電界効果トランジスタの製造方法であって、前記酸化物半導体を形成したのち、酸化性ガス雰囲気中において熱処理する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法である。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、活性層として少なくともホモロガス化合物
InMO3(ZnO)m(Mが、In,Fe,GaまたはAl原子であり、mが、1以上50未満の整数である。)を含むアモルファス酸化物半導体と、ソース電極と、ドレイン電極とを備えた薄膜電界効果トランジスタの製造方法であって、
前記酸化物半導体を形成したのち、酸化性ガス雰囲気中において熱処理する工程を含む
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2):
H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (2):
H01L29/78 618B
, H01L29/78 618A
F-Term (29):
5F110AA14
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF23
, 5F110FF28
, 5F110GG04
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110HK33
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-228168
Applicant:独立行政法人物質・材料研究機構
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電界効果型トランジスタの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-325369
Applicant:キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
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