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J-GLOBAL ID：200903042136520792

電界効果型トランジスタの製造方法

Inventor： 薮田 久人 ,  佐野 政史 ,  岩崎 達哉 ,  細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005325369
Publication number (International publication number)：2006165531
Application date： Nov. 09, 2005
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】電界効果型トランジスタに関する新規な製造方法を提供する。 【解決手段】基板上に、非晶質酸化物層を形成する前に、基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板表面にプラズマを照射したり、あるいは基板表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

電界効果型トランジスタの製造方法であって、 基板を用意する第1の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第2の工程を備え、且つ 該第2の工程前に、 該基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射する工程、該基板表面にプラズマを照射する工程、及び該基板表面を、過酸化水素を含有する薬液により洗浄する工程 のうちの、少なくともいずれかの工程を行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B

F-Term (29)：

5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK08 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-096983   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081483   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-086175   Applicant：ミノルタ株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-020819   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-266012   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-223042   Applicant：ミノルタ株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208948   Applicant：ホーヤ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-018243   Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (7)

• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-266012   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081483   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-086175   Applicant：ミノルタ株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-020819   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-223042   Applicant：ミノルタ株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208948   Applicant：ホーヤ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-018243   Applicant：三洋電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 高移動度(>10cm2/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の室

Cited by examiner (1)

• 高移動度(>10cm2/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の室