半導体レーザ、半導体レーザ駆動装置、および半導体レーザ駆動方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003206544
Publication number (International publication number)：2004214603
Application date： Aug. 07, 2003
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：

【課題】素子構造の作製が容易で、かつ消費電力が小さく、戻り光雑音を低減できる半導体レーザ、半導体レーザ駆動装置、および半導体レーザ駆動方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子は、共振器方向において活性層が光増幅領域3と可飽和吸収領域4との2つに分割されている。光増幅領域3および可飽和吸収領域4は、半導体レーザが双安定状態を満足する条件において作製されている。さらに、光増幅領域3および可飽和吸収領域4に対して、p電極1,2がそれぞれ互いに分離独立に形成されており、p電極1,2に対応してn電極5,6がそれぞれ設けられている。p電極1から、変調されて雑音が付加された電流Iが注入される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

変調光出力によって戻り光雑音を低減させる半導体レーザであって、前記半導体レーザが双安定状態を満足するように光増幅領域および可飽和吸収領域が形成された活性層と、第1の極性の電極と、前記第1の極性の電極に対して設けられた第2の極性の電極とを備え、前記第1の極性の電極および前記第2の極性の電極の少なくとも一方は、前記光増幅領域および前記可飽和吸収領域に対して電流をそれぞれ独立に注入できるように分割されている、半導体レーザ。

IPC (1)：

H01S5/343

FI (2)：

H01S5/343 610 , H01S5/343

F-Term (13)：

5F073AA04 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073BA05 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073EA24 , 5F073EA26 , 5F073EA27 , 5F073EA29 , 5F073GA03 , 5F073GA04 , 5F073GA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-241389
量子井戸構造埋め込み半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-348829 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-137383

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