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J-GLOBAL ID：200903003609387011

光半導体装置

Inventor：
黒崎 武志

About 黒崎 武志

, 
石井 啓之

About 石井 啓之


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 吉田 精孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997241459
Publication number (International publication number)：1999087853
Application date： Sep. 05, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 活性導波路領域と光導波路領域とを集積した半導体光集積素子を構成要素とする光半導体装置において、発振光における強度雑音レベルの増大を極力抑えながら、反射戻り光によって誘起される発振光の強度雑音の増加を抑制すること。【解決手段】 活性導波路13を含む活性導波路領域11に信号電流発生装置21より信号電流を加えて信号光を発生させるとともに、該信号光に対して透明な光導波路14を含む光導波路領域12に装置22より該光導波路領域12の屈折率を変動させるための変調電流または変調電圧を加えることにより、半導体光集積素子10への反射戻り光によって誘起される発振光の強度雑音の増加を抑制する。
Claim (excerpt)：
所定のバンドギャップ波長を有する活性導波路領域と、該活性導波路領域よりも短いバンドギャップ波長を有する光導波路領域とが光学的に結合され、かつ前記活性導波路領域と前記光導波路領域とに各々独立に電流を注入できる構造を有する半導体光集積素子と、前記活性導波路領域で信号光を発生させるための信号電流発生装置と、前記光導波路領域の屈折率を変動させるための変調電流または変調電圧を発生する装置とを具備し、前記信号電流発生装置を前記半導体光集積素子の活性導波路領域の電極に接続し、また、前記変調電流または変調電圧を発生する装置を前記半導体光集積素子の光導波路領域の電極に接続することを特徴とする光半導体装置。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01S 3/103
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01S 3/103
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
  • 特開昭60-187078
  • 光伝送装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-243116   Applicant：株式会社東芝
  • 光半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-134870   Applicant：日本電信電話株式会社
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