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J-GLOBAL ID：200903066781648520

窒化ガリウム系化合物半導体チップ

Inventor：
岩佐 成人

About 岩佐 成人

, 
長浜 慎一

About 長浜 慎一

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998279386
Publication number (International publication number)：1999163405
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】 優れた発光性能を有し、歩留良く所望の形、サイズに切断することができる窒化ガリウム系化合物半導体チップを提供する。【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層上面の他に第1表面と第2表面とを有し、第1表面は、p型窒化ガリウム系半導体層上面の外側に位置するp型窒化ガリウム系半導体層を、n型窒化ガリウム系半導体層までエッチングすることにより形成され、かつ第2表面は、第1表面の外側に位置する上記n型窒化ガリウム系半導体層をエッチングまたはダイシングすることにより上記基板表面が露出するように形成されていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
サファイア基板上にn型窒化ガリウム系化合物半導体層を介してp型窒化ガリウム系化合物半導体層が形成されたpn接合面を有する窒化ガリウム系化合物半導体チップであって、上記窒化ガリウム系化合物半導体チップは、p電極が形成される上記p型窒化ガリウム系化合物半導体層上面の他に第1表面と第2表面とを有し、上記第1表面は、上記p型窒化ガリウム系半導体層上面の外側に位置するp型窒化ガリウム系半導体層を、上記n型窒化ガリウム系半導体層までエッチングすることにより形成され、かつ上記第2表面は、上記第1表面の外側に位置する上記n型窒化ガリウム系半導体層をエッチングまたはダイシングすることにより上記基板表面が露出するように形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップ。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/301
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (26)
  • 特開平3-108779
  • 特開平3-094482
  • 特開平4-242985
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