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J-GLOBAL ID：200903066826303480

有機薄膜トランジスタ素子の製造方法、該製造方法により製造した有機薄膜トランジスタ素子、及び有機薄膜トランジスタ素子シート

Inventor： 平井 桂
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003429037
Publication number (International publication number)：2004221562
Application date： Dec. 25, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：

【課題】 製造工程でのトランジスタの特性の低下を抑え、経時劣化や折れ曲がりによるトランジスタの特性の低下を抑えた有機薄膜トランジスタ素子、有機薄膜トランジスタ素子シート及び有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 有機薄膜トランジスタの製造方法において、有機半導体層6に接して有機半導体保護層3を形成する工程と、ソース電極4及びドレイン電極5を形成する部分の前記有機半導体保護層3を除去する工程と、を有し、前記ソース電極4及びドレイン電極5を形成する工程は、前記有機半導体保護層3を除去した有機半導体層部分6に接するようにソース電極4及びドレイン電極5を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

支持体上にゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、 有機半導体層を形成する工程の後に、 有機半導体保護層を形成する工程と、 ソース電極及びドレイン電極を形成する部分の前記有機半導体保護層を除去する工程と、 有機半導体保護層が除去された領域の有機半導体層に接合するようにソース電極及びドレイン電極を形成する工程とを有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L51/00

FI (5)：

H01L29/78 618B ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M

F-Term (84)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104GG09 ,  4M104HH16 ,  5C094AA15 ,  5C094AA31 ,  5C094AA36 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA06 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094FB01 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5C094JA11 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 有機薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331398   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

Cited by examiner (9)

• 特開昭58-012370
  
• 特開平4-360542
  
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-070997   Applicant：三洋電機株式会社
• 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-336830   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-362320   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 液晶表示装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-221457   Applicant：株式会社アドバンスト・ディスプレイ
• 液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-145656   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭63-128335
  
• アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-298823   Applicant：シャープ株式会社