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J-GLOBAL ID：200903066827358530

半導体発光素子

Inventor： 新 田 康 一 ,  岡 崎 治 彦 ,  渡 辺 幸 雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999176795
Publication number (International publication number)：2001007399
Application date： Jun. 23, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 発光層から発光された光を効率良く外部へ取り出すことが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 活性層106から発生した光のうち、図中下方へ向かって進む光が、反射層として作用する電極103によって反射され、上方へ向かって進行して外部へ放射される。ここで、電極103は金属から成るので、入射角度にかかわらず光をほぼ全反射し、高い効率で光を取り出すことを可能にする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に金属材料を用いて形成され、光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、発光する発光層と、前記発光層上に形成され、透光性を有する透光性電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (12)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• エピタキシャルオーミックコンタクトを含む▲II▼-▲VI▼族半導体材料の集積ヘテロ構造およびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-503649   Applicant：ノースカロライナステートユニバーシティ
• 光半導体チップおよび光半導体チップの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-332727   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-049590   Applicant：株式会社東芝