半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、及び半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998068916
Publication number (International publication number)：1999145131
Application date： Mar. 18, 1998
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】高絶縁破壊耐性のシリコン酸化膜を低温で形成できる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置並びにこれらによって製造された半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、550°Cを越える温度において酸素活性種を含む雰囲気で半導体層の表面を酸化して酸化膜を形成する工程を備えた。また、他の半導体装置の製造方法は、酸素活性種を含む雰囲気で半導体の表面を酸化して酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜を除去して前記半導体の表面を露出させる工程とを備えた。更に他の半導体装置の製造方法は、励起状態が一重項状態の酸素原子ラジカルを主成分とする酸化源ガスをシリコン層に供給し、その表面を酸化してシリコン酸化膜を形成する。

Claim (excerpt)：

550°Cを越える温度において酸素活性種を含む雰囲気で半導体層の表面を酸化して酸化膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 21/316 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-042927
シリコン酸化膜の製造方法と製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-053023 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-232411 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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