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J-GLOBAL ID：200903067011021827

半導体装置

Inventor：
中村 光宏

About 中村 光宏


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997317983
Publication number (International publication number)：1999150240
Application date： Nov. 19, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを含み、局所配線を介してキャパシタの電極と通常の配線とを接続する半導体装置に関し、熱処理を含む製造プロセスを介在させても、特性を劣化させることのない強誘電体キャパシタを含む半導体装置を提供する。【解決手段】キャパシタの下部電極32上の第1の層間絶縁膜35に形成された第1のコンタクトホール36aと、第1のコンタクトホール36a内の下部電極32と接続する第1の層間絶縁膜35上に形成された局所配線37aと、局所配線37a上の第2の層間絶縁膜38に形成された第2のコンタクトホール39aと、第2のコンタクトホール39a内の局所配線37aと接続する第2の層間絶縁膜38上に形成された配線とを有する半導体装置において、第1のコンタクトホール36aと、第2のコンタクトホール39aとが重ならないように離して配置されている。
Claim (excerpt)：
絶縁層上に形成された下部電極とキャパシタ絶縁膜と上部電極とを有するキャパシタと、該キャパシタを被覆する第1の絶縁膜と、該キャパシタの下部電極上の第1の層間絶縁膜に形成された第1のコンタクトホールと、該第1のコンタクトホール内の下部電極と接続する前記第1の層間絶縁膜上に形成された局所配線と、該局所配線上に形成された第2の層間絶縁膜と、該局所配線上の第2の層間絶縁膜に形成された第2のコンタクトホールと、該第2のコンタクトホール内の局所配線と接続する前記第2の層間絶縁膜上に形成された配線とを有する半導体装置において、前記下部電極上に設けられた第1のコンタクトホールと、前記局所配線上に設けられた第2のコンタクトホールとが重ならないように離して配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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