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J-GLOBAL ID：200903067039502979

半導体装置

Inventor：
藤本 英俊

About 藤本 英俊


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007238360
Publication number (International publication number)：2009071061
Application date： Sep. 13, 2007
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：
【課題】ノーマリーオフ動作を実現可能な半導体装置を提供する。【解決手段】第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に設けられ第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層の上に設けられたソース電極と、第2の窒化物半導体層の上に設けられたドレイン電極と、第2の窒化物半導体層の表面上におけるソース電極とドレイン電極との間に設けられた絶縁層と、絶縁層の上に設けられたp型の第3の窒化物半導体層と、第3の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極とを備えている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層の上に設けられたソース電極と、 前記第2の窒化物半導体層の上に設けられたドレイン電極と、 前記第2の窒化物半導体層の表面上における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた絶縁層と、 前記絶縁層の上に設けられたp型の第3の窒化物半導体層と、 前記第3の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (11)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM02 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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