電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (13)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 米田圭啓 , 関啓 , 杉浦靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005165143
Publication number (International publication number)：2006339561
Application date： Jun. 06, 2005
Publication date： Dec. 14, 2006
Summary：

【課題】十分に大きな電流密度を得ることができるノーマリオフ型の窒化物半導体からなる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板101上にAlNバッファ層102、アンドープGaN層103、アンドープAlGaN層104、p型GaN層105、高濃度p型GaN層106が順に形成され、ゲート電極111が高濃度p型GaN層106とオーミック接合する。アンドープAlGaN層104の上にはソース電極109及びドレイン電極110が設けられる。アンドープAlGaN層104とアンドープGaN層との界面で発生する2次元電子ガスとp型GaN層105とによって生じるpn接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上方に設けられた第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1の窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きく、動作時には前記第1の窒化物半導体層との界面に2次元電子ガスを生じさせる第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層の上に設けられたp型の第3の窒化物半導体層と、前記第3の窒化物半導体層の上または上方に設けられたゲート電極と、前記第2の窒化物半導体の上または上方であって、平面的に見て前記ゲート電極の両側方に設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/808 , H01L 21/337 , H01L 29/812 , H01L 21/338 , H01L 29/778

FI (3)：

H01L29/80 C , H01L29/80 U , H01L29/80 H

F-Term (21)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GD04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GQ03 , 5F102GR01 , 5F102GR13 , 5F102GR16 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC16 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-058021 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (6)

GaN系半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-246113 Applicant：古河電気工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-058021 Applicant：三菱電機株式会社
高移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-057070 Applicant：古河電気工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Microwave Operation of GaN/AlGaN-Doped Channel Heterostructure Field Effect Transistors"

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