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J-GLOBAL ID：200903067072311275

表示装置およびその製造方法

Inventor： 海東 拓生 ,  大植 栄司 ,  賀茂 尚広 ,  木村 泰一 ,  糸賀 敏彦
Applicant, Patent owner： 株式会社 日立ディスプレイズ
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004088233
Publication number (International publication number)：2005274984
Application date： Mar. 25, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】 製造工数の低減を図った表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板の上面に半導体層を形成し、前記半導体層の上面に絶縁膜を形成し、 第1領域を被い第2領域を露出させたマスクを用いて、前記第2領域の前記半導体層に前記絶縁膜を通して不純物の打ち込みを行い、 前記マスクを除去した後に、前記第1領域及び前記第2領域の前記絶縁膜の表面を前記第2領域の前記絶縁膜が残存する程度にエッチングすることにより、前記第2領域の絶縁膜の膜厚を前記第1領域の絶縁膜の膜厚よりも薄くすることを特徴とする表示装置の製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板の上面に半導体層を形成し、前記半導体層の上面に絶縁膜を形成し、 第1領域を被い第2領域を露出させたマスクを用いて、前記第2領域の前記半導体層に前記絶縁膜を通して不純物の打ち込みを行い、 前記マスクを除去した後に、前記第1領域及び前記第2領域の前記絶縁膜の表面を前記第2領域の前記絶縁膜が残存する程度にエッチングすることにより、前記第2領域の絶縁膜の膜厚を前記第1領域の絶縁膜の膜厚よりも薄くすることを特徴とする表示装置の製造方法。

IPC (6)：

G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (6)：

G09F9/30 338 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 612C

F-Term (74)：

2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA35 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092JB63 ,  2H092JB64 ,  2H092JB65 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA11 ,  2H092KA21 ,  2H092KB01 ,  2H092KB11 ,  2H092KB12 ,  2H092KB21 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA25 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 液晶表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-324443   Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (5)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-215502   Applicant：ソニー株式会社
• 平面表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-302539   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-280018
  
• アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-036163   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-002622   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所