半導体装置およびその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000002622
Publication number (International publication number)：2000269512
Application date： Jan. 11, 2000
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 TFT特性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】 AM-LCDの画素マトリクス回路において、保持容量の下部電極114に15族に属する元素と結晶化に用いた触媒元素とを含有させて低抵抗化を図り、さらに保持容量の誘電体を薄くすることで、容量を形成する面積を大きくすることなくキャパシティを稼ぐことができる。そのため、対角1インチ以下のAM-LCDにおいても開口率を低下させることなく、十分な保持容量を確保することが可能となる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上にソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されているチャネル形成領域と、少なくとも前記チャネル形成領域上に接して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成された配線とを有し、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一部には、珪素の結晶化を助長する元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1365 , H01L 21/20

FI (7)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 617 S

F-Term (113)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA38 , 2H092JA39 , 2H092JA40 , 2H092JA42 , 2H092JA43 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB24 , 2H092JB27 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB36 , 2H092JB38 , 2H092JB43 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA24 , 2H092MA29 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA07 , 2H092NA22 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 2H092PA06 , 2H092PA07 , 2H092PA08 , 2H092PA10 , 2H092PA13 , 2H092RA05 , 5F052AA17 , 5F052CA07 , 5F052DA01 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA24 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN45 , 5F110NN73 , 5F110PP10 , 5F110PP34 , 5F110QQ09 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-123283 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-276102 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-215257 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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