Pat
J-GLOBAL ID:200903067076040942

末端変性ブタジエン系重合体、および、末端変性共役ジエン系重合体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 内田 幸男 (外1名) ,  内田 幸男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998280519
Publication number (International publication number):2000086719
Application date: Sep. 15, 1998
Publication date: Mar. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 1,4-シス含量が高く、分子量分布が狭く、末端変性率の高いブタジエン系重合体、および、その効率的な製造方法を提供する。【解決手段】 ブタジエン単位中シス結合した単位が50%以上、数平均分子量(Mn)が1,000〜10,000,000であり、重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)比(Mw/Mn)が3.0未満、分子末端に官能基を有する分子鎖が全分子鎖中10%以上である末端変性ブタジエン系重合体。シクロペンタジエニル骨格を有する周期律表第IV族遷移金属化合物と助触媒とを、下記式を満たす条件で接触させてなる触媒の存在下に、共役ジエン単量体を重合させた後、末端変性剤を接触させる。-100<T<800.017<t<6000exp(-0.0921T)t:接触時間(分)、T:接触温度(°C)。
Claim (excerpt):
ブタジエン単独重合体、または、ブタジエンおよびそれと共重合可能な単量体との共重合体であって、ブタジエン単位中シス結合した単位が50%以上であり、数平均分子量(Mn)が1,000〜10,000,000であり、重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)の比(Mw/Mn)が3.0未満であり、分子末端に官能基を有する分子鎖が全分子鎖中10%以上であることを特徴とする末端変性ブタジエン系重合体。
IPC (3):
C08F 8/00 ,  C08F 4/64 ,  C08F 36/00
FI (3):
C08F 8/00 ,  C08F 4/64 ,  C08F 36/00
F-Term (86):
4J028AA01A ,  4J028AB00A ,  4J028AC01A ,  4J028AC28A ,  4J028BA04B ,  4J028BB01B ,  4J028BB02B ,  4J028BB03B ,  4J028BB04B ,  4J028BC01B ,  4J028BC05B ,  4J028BC06B ,  4J028BC12B ,  4J028BC15B ,  4J028BC16B ,  4J028BC17B ,  4J028BC19B ,  4J028BC25B ,  4J028BC26B ,  4J028CA01C ,  4J028CA04C ,  4J028CA11B ,  4J028CA23B ,  4J028CA46B ,  4J028CA48B ,  4J028CB13C ,  4J028CB43C ,  4J028CB48C ,  4J028CB52C ,  4J028CB53C ,  4J028CB58C ,  4J028CB62C ,  4J028CB63C ,  4J028CB64C ,  4J028CB65C ,  4J028CB66C ,  4J028CB69C ,  4J028CB73C ,  4J028CB74C ,  4J028CB75C ,  4J028CB76C ,  4J028CB79C ,  4J028CB87C ,  4J028CB91C ,  4J028EB12 ,  4J028EB13 ,  4J028EB16 ,  4J028EB17 ,  4J028EB18 ,  4J028EB21 ,  4J028EB25 ,  4J028EC01 ,  4J028EC02 ,  4J028FA01 ,  4J028FA02 ,  4J028FA04 ,  4J028FA07 ,  4J028GA01 ,  4J028GA06 ,  4J028GA11 ,  4J028GA16 ,  4J028GA26 ,  4J100AA02Q ,  4J100AA03Q ,  4J100AA04Q ,  4J100AB00Q ,  4J100AB02Q ,  4J100AB03Q ,  4J100AB09Q ,  4J100AL02Q ,  4J100AR04Q ,  4J100AR11Q ,  4J100AR22Q ,  4J100AS01P ,  4J100AS02P ,  4J100AS04P ,  4J100AS07P ,  4J100AS11Q ,  4J100AU21Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA27 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA10 ,  4J100FA19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page