処理装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002291578
Publication number (International publication number)：2004124193
Application date： Oct. 03, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】複数の原料ガスを交互に供給して成膜を行う処理装置において、排気配管中で原料ガスが反応することを防止して反応生成物による排気配管詰まりを防止することを課題とする。【解決手段】処理容器21へのガス供給をTiCl4供給系統とNH3供給系統との間で切り替える。また処理容器21からのガス排気をTiCl4排気系統とNH3排気系統との間で切り替える。ガス供給がTiCl4供給系統に切り替えられたときにガス排気をTiCl4排気系統に切り替え、且つ、ガス供給がNH3供給系統に切り替えられたときにガス排気をNH3排気系統に切り替える。切り替えは供給系統及び排気系統の各々に設けられた開閉弁V1〜V5により行う。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の原料ガスと第2の原料ガスとを被処理基板に対して交互に供給して処理を行う処理装置であって、内部に該被処理基板が配置される処理容器と、該処理容器内に前記第1の原料ガスを供給するための第1の供給系統と、前記処理容器内に前記第2の原料ガスを供給するための第2の供給系統と、前記処理容器内から前記第1の原料ガスを排気するための第1の排気系統と、前記処理容器内から前記第2の原料ガスを排気するための第2の排気系統と、前記処理容器へのガス供給系統を前記第1の供給系統と前記第2の供給系統との間で切り替える供給系統切り替え手段と、前記処理容器からのガス排気系統を前記第1の排気系統と前記第2の排気系統との間で切り替える排気系統切り替え手段と、ガス供給系統が前記第1の供給系統に切り替えられたときにガス排気系統を前記第1の排気系統に切り替え、且つ、ガス供給系統が前記第2の供給系統に切り替えられたときにガス排気系統を前記第2の排気系統に切り替えるように、前記供給系統切り替え手段と前記排気系統切り替え手段とを制御する制御手段とを有することを特徴とする処理装置。

IPC (2)：

C23C16/455 , H01L21/31

FI (2)：

C23C16/455 , H01L21/31 B

F-Term (23)：

4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030EA03 , 4K030EA12 , 4K030FA10 , 4K030KA41 , 5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045AC00 , 5F045AC03 , 5F045AC04 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045BB20 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EG01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

反応チャンバガス流入方法及びそれに用いるシャワ-ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-008699 Applicant：三星電子株式会社
特開平1-189114
成膜装置および成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-000183 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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