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J-GLOBAL ID：200903078521306810

成膜装置および成膜方法

Inventor：
松瀬 公裕

About 松瀬 公裕


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000183
Publication number (International publication number)：2001254181
Application date： Jan. 04, 2001
Publication date： Sep. 18, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ALD法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。【解決手段】 基板Wを収容するチャンバー11と、チャンバー11内で複数の基板Wを平面的に支持する基板支持部材12と、チャンバー11内に設けられ、TiCl4を吐出する第1の処理ガス吐出ノズル20と、NH3を吐出する第2の処理ガス吐出ノズル21と、基板支持部材12を回転させる回転機構14と、基板Wを加熱するヒーター16とを具備し、基板支持部材12を回転させて基板Wを公転させながら、基板W上に、Tiの単原子層と、Nの単原子層とを交互に形成する。
Claim (excerpt)：
基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内で複数の基板を平面的に支持する基板支持部材と、前記チャンバー内に設けられ、第1の処理ガスを吐出する第1の処理ガス吐出部と、前記チャンバー内の第1の処理ガス吐出部とは異なる位置に設けられ、第2の処理ガスを吐出する第2の処理ガス吐出部と、前記基板支持部材を回転させる回転機構と、前記基板を加熱する加熱手段とを具備し、前記基板支持部材を回転させて基板を公転させながら、基板上に、第1の処理ガスによる単原子層と、第2の処理ガスによる単原子層とを交互に形成することを特徴とする成膜装置。
IPC (6)：
C23C 16/46 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/31
FI (6)：
C23C 16/46 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 G ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/31 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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