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J-GLOBAL ID：200903067139328135

シリコン含有レジスト組成物およびその使用

Inventor： リン・チン=ファン ,  アハマド・ディー・カトナーニー ,  ダグラス・チャールズ・ラ=チューリップ・ジュニア ,  デービッド・イー・ゼーガー ,  ウィリアム・ロス・ブルンスフォルド ,  アリ・アフザーリ=アルダカーニー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000023822
Publication number (International publication number)：2000221687
Application date： Feb. 01, 2000
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高性能放射感応性シリコン含有ネガ型レジスト、および半導体デバイス製作のため多層結像にこのシリコン含有レジストを使用する方法を提供する。【解決手段】 シリコン含有ポリマー樹脂と、架橋剤と、酸発生剤と、溶媒とを含む、シリコン含有量の高いネガ型レジスト組成物が提供される。このレジスト組成物は、水性塩基可溶性のシリコンポリマーが、そのフェノール基の水酸基のところで、架橋剤のカルボカチオンとO-アルキル化反応する。酸触媒の存在下での高コントラストな架橋によって、優れた解像度と高アスペクト比のパターニングを実現する。このレジスト組成物は、中紫外(UV)、深紫外、極紫外、X線、電子線、イオン・ビーム照射など様々な照射源を使って半導体デバイスを製作するための、2層を含めた多層方式において上部結像層として使用できる。

Claim (excerpt)：

シリコン含有ネガ型レジスト組成物であって、(a)フェノール基を有する水性塩基可溶性シリコン含有ポリマーと、(b)前記シリコン含有ポリマーを前記フェノール基の水酸基のところで架橋させることのできる架橋剤と、(c)酸発生剤と、(d)溶媒とを含むシリコン含有ネガ型レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-074986   Applicant：株式会社日立製作所
• 化学増幅型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-034836   Applicant：住友化学工業株式会社
• 高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-227633   Applicant：信越化学工業株式会社