誘電体セラミック材料の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若田勝一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997088789
Publication number (International publication number)：1998270284
Application date： Mar. 24, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】誘電体セラミック材料の主成分に対する副成分の分散性を良くし、組成を均一化することにより、偏析相の発生を抑え、ショート不良がなく、経年による特性劣化が少なく、小型で高静電容量、低コスト、高信頼性の積層セラミックコンデンサを作るための誘電体セラミック材料の製造方法を提供する。【解決手段】BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3あるいはBaZrO3のうちの1種類または2種類以上を主成分とする。これらの主成分に混合する副成分として、Ba、Ca、Sr、Mg、Si、Cr、Y、V、Mn、W、Zrの各々の化合物から選ばれる少なくとも3種以上の化合物を含むものを用いる。主成分に対して前記副成分を0.2wt%以上、10.0wt%以下含有した誘電体セラミック材料を製造する。副成分を湿式粉砕して微粉化した後、凍結乾燥して副成分の顆粒を作る。

Claim (excerpt)：

BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3あるいはBaZrO3のうちの1種類または2種類以上を主成分とし、該主成分に混合する副成分として、Ba、Ca、Sr、Mg、Si、Cr、Y、V、Mn、W、Zrの各々の化合物から選ばれる少なくとも3種以上の化合物を含むものを用い、前記主成分に対して前記副成分を0.2wt%以上、10.0wt%以下含有した誘電体セラミック材料を製造する場合、前記副成分を湿式粉砕して微粉化した後、凍結乾燥して副成分の顆粒を作ることを特徴とする誘電体セラミック材料の製造方法。

IPC (5)：

H01G 4/12 364 , B01J 19/08 , B22F 1/00 , C04B 35/46 , C04B 35/48

FI (7)：

H01G 4/12 364 , B01J 19/08 K , B22F 1/00 , C04B 35/46 C , C04B 35/46 D , C04B 35/46 E , C04B 35/48 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

非還元性誘電体磁器組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-016500 Applicant：株式会社村田製作所
マイクロ波誘電体磁器組成物及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-052971 Applicant：日本特殊陶業株式会社
特開平1-290565

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