半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998185453
Publication number (International publication number)：1999074369
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】同一基板上に異なる材料/厚さのゲート酸化膜/ゲート電極が形成された半導体装置およびこの半導体装置の製造方法。【解決手段】半導体基板の第1および第2の素子領域(3a、3b)に第1絶縁膜(203)と第1ポリシリコン膜(204)を形成する。第2の素子領域の第1絶縁膜および第1ポリシリコン膜が除去され、この除去された領域に第2絶縁膜(211)を介して第2ポリシリコン膜(212)を形成する。第1の素子領域では第1ポリシリコン膜によって第1のゲート電極が構成され、第2の素子領域では第2ポリシリコン膜によって第2のゲート電極が構成される。素子分離上のシリコン窒化膜を除去し、この除去された領域に第1のゲート電極と第2のゲート電極とを接続する金属膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上のゲート電極が形成される複数の領域に第1の膜と第2の膜とを形成するステップと、前記複数の領域の内の少なくとも1つの領域から前記第1の膜と第2の膜とを取り除くステップと、前記第1の膜と第2の膜とが取り除かれた前記少なくとも1つの領域に第1の絶縁膜と第1のゲート電極とを形成するステップと、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 461 , H01L 27/10 681 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

特開平3-184368
特開平3-184368
特開平3-184368

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