半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997104787
Publication number (International publication number)：1998303407
Application date： Apr. 22, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】コンタクト層と該コンタクト層の上に形成されるオーミック電極とのオーミック性接触のコンタクト抵抗を低減する。【解決手段】 n型のAlx Ga1-x N(但し、xは0以上で且つ0.5以下である。)で表わされるn型の窒化アルミニウムガリウム層11の上に、該窒化アルミニウムガリウム層11とオーミック性接触するように、モリブデン(仕事関数:4.12eV、融点:2523°C)よりなるモリブデン層12が堆積されている。モリブデン層12の上には、該モリブデン層12の酸化を防止する金層13が堆積されている。

Claim (excerpt)：

n型のAlx Ga1-x N(但し、xは0以上で且つ0.5以下である。)で表わされるn型の窒化アルミニウムガリウム又は窒化ガリウムよりなるコンタクト層と、前記コンタクト層の上に該コンタクト層とオーミック性接触するように形成された、仕事関数が4.2eV以下の高融点金属よりなる高融点金属層からなるオーミック電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電子線源を備える光源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243913 Applicant：松下電工株式会社
特開平2-192120
特開平2-192120

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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