Pat

J-GLOBAL ID：200903067316547314

トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板

Inventor： 山口 郁博
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (2)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003308806
Publication number (International publication number)：2005077822
Application date： Sep. 01, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】 画素の開口率を低下させずにトランジスタアレイ基板の製造工程を簡略化すること。【解決手段】 トランジスタアレイ基板1を製造するに際して、トランジスタ4をマトリクス状にパターニングする。そのトランジスタ4の不純物半導体膜12,13は、透明な半導体である金属酸化物(酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミウム等)に不純物を含んだ不純物ドープ金属酸化物膜をべた一面に成膜した後、その膜にマスクを施した状態でエッチングすることによって形成する。ここで、そのマスクには、不純物半導体膜12,13の分だけでなく蓄電用ライン7の分もあるので、不純物ドープ金属酸化物膜から蓄電用ライン7も形成される。トランジスタ4及び蓄電用ライン7を層間絶縁膜16で被覆し、蓄電用ライン7の一部に対向する画素電極3を層間絶縁膜16上に形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数のトランジスタで構成されたトランジスタアレイ基板の製造方法において、 透明な半導体である金属酸化物と不純物とを含んだ透明な不純物金属酸化物膜を成膜する不純物金属酸化物膜成膜工程と、 前記不純物金属酸化物膜を形状加工することによって、トランジスタの不純物半導体膜及び蓄電用電極を形成するパターニング工程と、 絶縁膜を介して前記蓄電用電極と重なるように透明電極を形成する透明電極形成工程と、 を含むことを特徴とするトランジスタアレイ基板の製造方法。

IPC (3)：

G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (4)：

G02F1/1368 ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B

F-Term (52)：

2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JB65 ,  2H092JB68 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KA19 ,  2H092NA07 ,  2H092NA27 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE37 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK25 ,  5F110HK34 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-068945   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (5)

• トランジスタ及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-326889   Applicant：科学技術振興事業団
• 液晶表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-245336   Applicant：三洋電機株式会社
• 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-348260   Applicant：松下電器産業株式会社
• アクティブマトリクス基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-364156   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-274333   Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社