半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001044949
Publication number (International publication number)：2002246391
Application date： Feb. 21, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】銅配線の抵抗上昇を抑制しつつ配線寿命を向上させ、かつ、製造安定性を改善した半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】銅配線17上表面を窒素元素を含む原料ガスを用いてプラズマ処理することにより窒化銅層24を形成し、その後、シリコン窒化膜18を形成する。このとき、窒化銅層24の下部に薄い銅シリサイド層25を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に銅含有膜を形成する工程と、洗浄液を用いて前記銅含有膜表面の酸化銅を除去する工程と、酸化銅を除去した前記銅含有膜表面を窒化処理する工程と、窒化処理した前記銅含有膜上にシリコンを含む銅拡散防止膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/3205 , C23C 8/48 , H01L 21/304 643 , H01L 21/304 644 , H01L 21/308 , H01L 21/318

FI (8)：

C23C 8/48 , H01L 21/304 643 A , H01L 21/304 644 A , H01L 21/308 G , H01L 21/318 A , H01L 21/318 B , H01L 21/318 M , H01L 21/88 M

F-Term (63)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK25 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ90 , 5F033QQ91 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033SS26 , 5F033XX05 , 5F033XX10 , 5F033XX20 , 5F043AA22 , 5F043AA40 , 5F043BB15 , 5F043BB27 , 5F043BB28 , 5F043DD12 , 5F043GG03 , 5F043GG10 , 5F058BA05 , 5F058BB05 , 5F058BC09 , 5F058BD01 , 5F058BD09 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BE01 , 5F058BF07 , 5F058BF51 , 5F058BF61 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-068188 Applicant：株式会社東芝
洗浄液および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-329075 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-209857 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page