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J-GLOBAL ID：200903067456802861
シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997314465
Publication number (International publication number)：1999135514
Application date： Oct. 30, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 シリコンウエーハをRTA装置を用いて、還元性雰囲気下で熱処理する方法に関し、特にウエーハ表面のCOP密度を低下させてTZDB、TDDB等の電気特性を改善するとともに、スリップ転位の発生を抑制して、ウエーハの割れ等を防ぎ、急速加熱・急速冷却装置の本来的に有する、生産性の向上、水素ガスの少量化等の利点を生かそうとするものである。【解決手段】 急速加熱・急速冷却装置を用いてシリコンウエーハを還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハを水素の割合を10〜80容量%とした水素とアルゴンの混合ガス雰囲気下で、温度1150〜1300°Cで1〜60秒間熱処理をする。また、前記水素とアルゴンの混合ガス中の水素の割合を20〜40容量%とすることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
急速加熱・急速冷却装置を用いてシリコンウエーハを還元性雰囲気下で熱処理する方法において、該シリコンウエーハを水素の割合を10〜80容量%とした水素とアルゴンの混合ガス雰囲気下で、温度1150〜1300°Cで1〜60秒間熱処理をすることを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/324
, C30B 33/02
, H01L 21/02
H01L 21/324 X
, C30B 33/02
, H01L 21/02 B
Cited by examiner (6)
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