紫外線発光デバイス及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：平山一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999174723
Publication number (International publication number)：2001007385
Application date： Jun. 21, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体pn接合から紫外線が発光可能な紫外線発光デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のIIb型ダイヤモンドから形成されたp型ダイヤモンド半導体結晶2上に、例えばプラズマCVD法によってドナー原子となるイオウをドープしたn型ダイヤモンド半導体結晶層4を成長させてpn接合6を形成し、このpn接合から順方向電圧を印加することにより紫外線が発光する。

Claim (excerpt)：

紫外線領域に対応するバンドギャップエネルギーを有する半導体結晶であって、アクセプター原子を有するp型半導体結晶とドナー原子を有するn型半導体結晶とで形成したpn接合を備え、上記pn接合に順方向電圧を印加することにより紫外線を発光する、紫外線発光デバイス。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/32 , C30B 29/04

FI (4)：

H01L 33/00 A , H01L 21/205 , C30B 29/04 R , H01S 3/18 672

F-Term (42)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BA03 , 4G077DB16 , 4G077EB01 , 4G077EB04 , 4G077ED06 , 4G077EF04 , 4G077EH05 , 4G077HA01 , 4G077HA06 , 5F041AA11 , 5F041CA02 , 5F041CA14 , 5F041CA33 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC19 , 5F045AD12 , 5F045AE23 , 5F045BB05 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045DA60 , 5F045DA63 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EB09 , 5F045EC03 , 5F045EH03 , 5F045EH18 , 5F073CA24 , 5F073CB04 , 5F073CB17 , 5F073CB22 , 5F073DA04 , 5F073EA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-222920 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平4-240784
ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-339371 Applicant：キヤノン株式会社

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Cited by examiner (11)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-222920 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平4-240784
特開平4-240784

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