炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005109194
Publication number (International publication number)：2006290635
Application date： Apr. 05, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】本発明は、欠陥の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。【解決手段】成長結晶中の添加元素濃度が、成長結晶中で種結晶中と同じ濃度から、所定の濃度変化率の範囲内にて漸増あるいは漸減して所望の濃度まで変化させる炭化珪素単結晶の製造方法、及び、この方法により製造される炭化珪素単結晶インゴットである。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長結晶中の添加元素濃度が、成長結晶中で種結晶中と同じ濃度から所定の濃度変化率の範囲内にて漸増あるいは漸減して所望の濃度まで変化させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (1)：

C30B 29/36

FI (1)：

C30B29/36 A

F-Term (17)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077DA01 , 4G077DA19 , 4G077DB12 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077EC09 , 4G077EH05 , 4G077FG11 , 4G077GA01 , 4G077HA06 , 4G077TB12 , 4G077TJ02 , 4G077TJ06 , 4G077TJ15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平1-108200
炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-329162 Applicant：新日本製鐵株式会社
SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-127471 Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

Cited by examiner (4)

特開平1-108200
特開平1-108200
SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-127471 Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

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