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J-GLOBAL ID：200903047401284658

炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藤本 辰雄 ,  矢代 弘克
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001329162
Publication number (International publication number)：2003137694
Application date： Oct. 26, 2001
Publication date： May. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 低欠陥大口径の単結晶炭化珪素インゴットとその製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶の厚さを0.6mm以上3.0mm以下とし、高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。

Claim (excerpt)：

口径が40mm以上、厚さが0.6mm以上3.0mm以下である炭化珪素単結晶育成用種結晶。

F-Term (7)：

4G077AA02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077ED04 ,  4G077SA01 ,  4G077TK04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 単結晶製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-080360   Applicant：株式会社デンソー
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-163087   Applicant：株式会社デンソー
• 4H型単結晶炭化珪素の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-319959   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 単結晶成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120637   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• SiC単結晶の育成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-356074   Applicant：住友金属鉱山株式会社