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J-GLOBAL ID：200903067661753997

窒化ガリウム結晶、ホモエピタキシャル窒化ガリウムを基材とするデバイス、及びその製造方法

Inventor：
デヴリン,マーク・フィリップ

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パーク,ドン-シル

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ルボーフ,スティーブン・フランシス

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ローランド,ラリー・バートン

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ホン,ヒュイコン

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サンドヴィック,ピーター・ミカ

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Applicant, Patent owner：
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

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Agent (4)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  伊藤 信和 ,  黒川 俊久
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004565702
Publication number (International publication number)：2006513122
Application date： Dec. 22, 2003
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：
約104/cm2未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm-3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された1以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)用途のような照明用途、並びにGaNを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約104/cm2未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm-3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に1以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。
Claim (excerpt)：
2mm以上の最大寸法、104cm-2未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm-3未満のGaN単結晶。
IPC (19)：
C30B 29/38 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  C30B 7/10 ,  H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/343 ,  H01L 29/80
FI (17)：
C30B29/38 D ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 B ,  H01L29/72 H ,  H01L29/48 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/74 F ,  H01L29/06 601D ,  H01L29/06 601W ,  H01L29/207 ,  H01L29/78 652T ,  C30B7/10 ,  H01L33/00 C ,  H01L31/10 A ,  H01S5/343 610 ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 301B
F-Term (61)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077AB08 ,  4G077CB08 ,  4G077EB06 ,  4G077EH09 ,  4G077EJ09 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077KA01 ,  4G077KA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  5F003BA92 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BH08 ,  5F003BM03 ,  5F005AA03 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005BA01 ,  5F005GA01 ,  5F005GA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049PA01 ,  5F049QA02 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F140AA00 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ26 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AP04 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (20)
  • 米国特許第5637531号明細書
  • 米国特許第5770887号明細書
  • 米国特許第5810925号明細書
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Cited by examiner (11)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

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