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J-GLOBAL ID：200903014532287657

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
岡 崎 治 彦

About 岡 崎 治 彦


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999227283
Publication number (International publication number)：2001053339
Application date： Aug. 11, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】 緑色から赤色領域に至る長波長の発光を確実に得ることができる半導体発光素子と、電流ブロック構造を確実且つ容易に形成することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板に対して大なる格子定数を有する半導体層と小なる格子定数を有する半導体層とを積層させた発光層を用いることによって基板と発光層との間の格子定数の「ずれ」を緩和させることができる。この時に、各層の膜厚を電子のド・ブロイ波の波長程度、あるいは「臨界膜厚」以下とすれば、結晶欠陥を発生させることなく各層に圧縮応力を印加してその格子定数を基板のそれに近づけることができる。また、p側電極の形成領域の一部にn側電極材料を含む領域を形成してアニール処理を施すと、これらの電極金属が反応して接触抵抗の高い領域が形成される。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板の主面上に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子であって、前記発光層は、前記基板よりも大なる格子定数を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる第1の層と、前記基板よりも小なる格子定数を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる第2の層と、を有し、前記第1の層は、前記第2の層によって前記主面に対して平行な方向に略弾性的に圧縮され前記基板との格子定数の差が減少してなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 M ,  H01S 5/323
F-Term (21)：
5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F073AA07 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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