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J-GLOBAL ID：200903067683385541

低圧における高速シリコン堆積法

Inventor：
クック,ロバート・シイ

About クック,ロバート・シイ

, 
ブロアズ,ダニエル・エル

About ブロアズ,ダニエル・エル


Applicant, Patent owner：
トーレックス・イクイップメント・コーポレーション

About トーレックス・イクイップメント・コーポレーション


Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000570390
Publication number (International publication number)：2002525841
Application date： Sep. 15, 1999
Publication date： Aug. 13, 2002
Summary：
【要約】低圧における高速シリコン堆積方法であって、高度の温度およびガス流の均一性を有するCVDリアクタ(56)を運転する方法を含み、ウェーハ温度、ガス流および室圧の組み合わせを提供する運転方法である。この方法に従うと、基板(60)を真空室に置き、反応物ガスを、温度制御している複数のガス注入器(64)によって基板と並行に高速で供給し、堆積速度が未反応ガスの基板表面への配送速度と反応副生物の除去速度のみによって制限される条件を提供する。プロセス条件の組み合わせによって、ウェーハ表面における反応を堆積速度が結晶化速度を上回る状況に移し、非常に小さい結晶成長、したがって、表面粗さが2500Å厚のフィルムに対して概略5nm〜7nmの非常に平滑なポリシリコン・フィルムをもたらす。
Claim (excerpt)：
(a)堆積室内の担体上にウェーハを置くことと、 (b)前記担体を回転させることと、 (c)前記ウェーハを500°C以上で、それ以下ではシリコンが無定形状態で堆積する温度として定義される遷移温度より低い温度まで加熱することと、 (d)シリコン堆積用のプロセス・ガスを前記ウェーハの表面と並行に10cm/秒以上の速度で注入することと、 (e)室圧を3Torr未満の値に維持することとを含むシリコンを堆積させる方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24
FI (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24
F-Term (35)：
4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA12 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE02 ,  5F045AE03 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AE09 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB09 ,  5F045DP04 ,  5F045EF13 ,  5F045EK01 ,  5F045EM10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 固体表面と気体とを反応させる方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-281319   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体基板の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-061902   Applicant：住友シチックス株式会社
  • 特開昭62-094922
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