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J-GLOBAL ID:200903067707809895

熱電変換材料および熱電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003201294
Publication number (International publication number):2004356607
Application date: Jul. 24, 2003
Publication date: Dec. 16, 2004
Summary:
【課題】ハーフホイスラー化合物を主相とする材料において、高いゼーベック係数と低い抵抗率とを維持しつつ熱伝導率を十分に低減して、無次元性能指数ZTの大きな熱電変換材料を提供する。【解決手段】下記組成式(1)または下記組成式(2)で表わされ、MgAgAs型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする。(Tia1Zrb1Hfc1)xNiySn100-x-y 組成式(1)(Lnd(Tia2Zrb2Hfc2)1-d)xNiySn100-x-y 組成式(2)(ここで、0<a1<1、0<b1<1、0<c1<1、a1+b1+c1=1、30≦x≦35、30≦y≦35、LnはYおよび希土類元素からなる群から選択される少なくとも一種であり、0≦a2≦1、0≦b2≦1、0≦c2≦1、a2+b2+c2=1、0<d≦0.3である。)【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記組成式(1)で表わされ、MgAgAs型結晶構造を有する相を主相とすることを特徴とする熱電変換材料。 (Tia1Zrb1Hfc1)xNiySn100-x-y 組成式(1) (上記組成式(1)中、0<a1<1、0<b1<1、0<c1<1、a1+b1+c1=1、30≦x≦35、30≦y≦35である。)
IPC (7):
H01L35/18 ,  C22C13/00 ,  C22C28/00 ,  H01L35/20 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00
FI (7):
H01L35/18 ,  C22C13/00 ,  C22C28/00 Z ,  H01L35/20 ,  H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H02N11/00 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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