Pat
J-GLOBAL ID:200903067715397156
薄膜トランジスタ、液晶表示装置、薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004534095
Publication number (International publication number):2005535147
Application date: Jul. 23, 2003
Publication date: Nov. 17, 2005
Summary:
本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、電極材料の液滴の滴下によりソース電極およびドレイン電極を形成するための電極形成領域を形成する前処理工程と、電極形成領域における半導体層の領域外の位置を滴下位置として電極材料の液滴を滴下し、ソース電極およびドレイン電極を形成する電極形成工程とを備える。これにより、電極材料の液滴の滴下にてソース電極およびドレイン電極を形成する場合に、両電極間のチャネル部に液滴の飛沫が付着する事態を防止することができる。
Claim (excerpt):
(i)ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向した半導体層と、(ii)この半導体層と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、(iii)上記ソース電極およびドレイン電極間のチャネル部と、を含む薄膜トランジスタであって、
前記ソース電極とドレイン電極とが電極材料の液滴を滴下することにより形成されており、
前記ソース電極とドレイン電極とは、少なくとも前記半導体層の領域内の部分が複数本に分岐された分岐電極部となっており、両電極の分岐電極部が交互に配され、前記分岐電極部の分岐始端部が前記半導体層の領域外の位置に設けられている薄膜トランジスタ。
IPC (6):
H01L29/786
, G02F1/1368
, G09F9/30
, H01L21/288
, H01L21/3205
, H01L21/336
FI (6):
H01L29/78 616T
, G02F1/1368
, G09F9/30 338
, H01L21/288 Z
, H01L21/88 B
, H01L29/78 616K
F-Term (81):
2H092GA12
, 2H092GA20
, 2H092GA32
, 2H092HA02
, 2H092JA26
, 2H092JA28
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JB22
, 2H092JB31
, 2H092JB56
, 2H092JB69
, 2H092MA01
, 2H092MA10
, 2H092MA12
, 2H092MA15
, 2H092MA18
, 2H092MA22
, 2H092NA27
, 2H092NA29
, 4M104AA09
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD22
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH20
, 5C094AA25
, 5C094AA43
, 5C094AA44
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094GB10
, 5F033GG03
, 5F033GG04
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033PP26
, 5F033VV15
, 5F033XX00
, 5F033XX21
, 5F033XX33
, 5F033XX34
, 5F110AA06
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE06
, 5F110EE42
, 5F110EE48
, 5F110FF29
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG44
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110HK34
, 5F110HK41
, 5F110HK42
, 5F110HM04
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN27
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ04
, 5F110QQ09
Patent cited by the Patent: