基板処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248434
Publication number (International publication number)：1996088180
Application date： Sep. 17, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】原料ガスの利用効率を向上させることができ、しかも処理条件を変化させた場合でも良好な処理特性を発揮できる基板処理装置を提供する。【構成】処理容器1内の基板ホルダ20に保持されている基板Sに対しガスを供給して所定の処理を行う基板処理装置において、基板ホルダ20に対向して設けられた整流板12と、この整流板12の中心部を通して原料ガスAを基板Sに向けて流す原料ガス供給手段と、整流板12の周辺部を通してパージガスBを流すパージガス供給手段とを備えている。

Claim (excerpt)：

処理容器内の基板ホルダに保持されている基板に対しガスを供給して所定の処理を行う基板処理装置において、前記基板ホルダに対向して設けられた整流板と、この整流板の中心部を通して処理用のガスを前記基板に向けて流す処理用ガス供給手段と、前記整流板の周辺部を通してパージ用のガスを流すパージガス供給手段とを具備してなることを特徴とする基板処理装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-132769
化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-330328 Applicant：三菱電機株式会社
半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-277313 Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン

Show all

Return to Previous Page