強誘電体メモリ装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996047729
Publication number (International publication number)：1996264669
Application date： Mar. 05, 1996
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】酸化イットリウムを緩衝誘電体膜として用いたMFIS FET構造を持つ強誘電体メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明はp型シリコン基板1と、前記p型シリコン基板の素子分離領域に形成されたフィールド酸化膜と、前記p型シリコン基板の表面上に形成されたゲート酸化イットリウム膜と、前記ゲート酸化イットリウム膜の上に形成されたゲート強誘電体膜と、前記ゲート強誘電体膜の上に形成されたゲートTiN電極と、前記ゲートTiN電極両側で前記p型シリコン基板の表面にn型で形成されたソース/ドレイン領域を含むMFIS FETである。本発明によると、前記酸化イットリウム膜はシリコン基板の上で単結晶形成が容易であり、酸化イットリウム膜の上に良質の強誘電体膜を形成することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電形の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート酸化イットリウム膜と、前記ゲート酸化イットリウム膜の上に形成されたゲート強誘電体膜と、前記ゲート強誘電体膜の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側に位置した前記半導体基板の表面に前記第一導電形と反対の第2導電形で形成されたソース/ドレイン領域とを含むことを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/10 451

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 451

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243232 Applicant：旭化成工業株式会社, 垂井康夫
特開平3-153084
特開平4-318937

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