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J-GLOBAL ID：200903068065480181
半導体レーザおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007220504
Publication number (International publication number)：2009054815
Application date： Aug. 28, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：
【課題】通常の半導体レーザ素子の製造プロセスのみによりCODの発生が抑制される端面膜を有することが可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子100(半導体レーザ)は、GaN層11からなる第1領域11aと、GaN層11と異なる材質からなりGaN層11に接合するAlXGa(1-X)N層12からなる第2領域12aとが縞状に配置された切り出し面10aを有する半導体基板10と、切り出し面10aの第1領域11a上に形成された素子中央部と、切り出し面10aの第2領域12a上に形成された共振器面20aを有する素子端面部とを含む半導体レーザ素子層20とを備える。そして、共振器面20aを有する領域20d(活性層22の領域22b)でのバンドギャップE2が、領域20e(活性層22の領域22a)でのバンドギャップE1よりも大きい。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
第1半導体層からなる第1領域と、前記第1半導体層と異なる材質からなり前記第1半導体層に接合する第2半導体層からなる第2領域とが縞状に配置された主表面を有する半導体基板と、
前記主表面の前記第1領域上に形成された素子中央部と、前記主表面の前記第2領域上に形成された共振器面を有する素子端面部とを含む半導体素子層とを備え、
前記共振器面を有する前記素子端面部での前記半導体素子層のバンドギャップが、前記素子中央部での前記半導体素子層のバンドギャップよりも大きい、半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (11)：
5F173AA08
, 5F173AB74
, 5F173AH22
, 5F173AH49
, 5F173AP05
, 5F173AP30
, 5F173AP32
, 5F173AP82
, 5F173AP92
, 5F173AQ02
, 5F173AR68
Cited by applicant (1)
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窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法
Gazette classification：再公表公報
Application number：JP2002011136
Applicant：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
Cited by examiner (1)
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半導体レーザ装置,及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-264041
Applicant：三菱電機株式会社
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