バイポーラトランジスタおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993186845
Publication number (International publication number)：1995086293
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】ベース電極-コレクタ層間の寄生容量の削減。ベース抵抗の低減。【構成】 n型コレクタ層3上に熱酸化膜101を介して窒化膜を設け、窒化膜をパターニングしてこれをマスクに素子分離酸化膜4を形成する。窒化膜上に中央にエミッタ開口を有するp+ 型ベースポリシリコン電極7を形成し、窒化膜を除去し、その除去部分にp型ベース層10とp型ポリシリコン膜11を選択成長により形成する[(a)図]。第2のサイドウォール12を形成し、n+ 型エミッタポリシリコン電極13を形成し、熱処理によりn+ 型エミッタ層14を形成する[(b)図]。

Claim (excerpt)：

素子分離酸化膜に囲まれた第1導電型コレクタ層上に選択的に形成された第2導電型のエピタキシャル層からなるベース層と、前記ベース層の表面外周部および側面に形成された第2導電型のポリシリコン膜と、前記ポリシリコン膜の上および素子分離酸化膜上に形成された第2導電型ポリシリコンからなるベースポリシリコン電極と、前記ベースポリシリコン電極の側壁に形成された絶縁膜からなるサイドウォールと、前記サイドウォールに囲まれた領域に形成された第1導電型ポリシリコンからなるエミッタポリシリコン電極と、前記エミッタポリシリコン電極と前記ベース層の接した領域に形成された第1導電型エミッタ層と、を備えたバイポーラトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-225552 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-192731
特開平2-142138

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