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J-GLOBAL ID:200903068137506903

基板メッキ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 熊谷 隆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998205138
Publication number (International publication number):1999154653
Application date: Jul. 21, 1998
Publication date: Jun. 08, 1999
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウェハー等の基板面上に形成された微細溝及び/又は微細穴からなる配線部に配線層を形成するメッキ装置。【解決手段】 基板を収容したカセットの受け渡しを行う搬入・搬出エリア20と、メッキ処理を行うメッキエリア30と、メッキ処理後の基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄・乾燥エリア40を具備し、洗浄・乾燥エリア40は搬入・搬出エリア20とメッキエリア30の間に配置され、搬入・搬出エリア20と洗浄・乾燥エリア40との間に隔壁21、洗浄・乾燥エリア40とメッキエリア30との間に隔壁23を設け、隔壁には隔壁で隔てられた両エリアに前記基板を受け渡すための通路を設けた、基板にメッキを施す基板メッキ装置。
Claim (excerpt):
基板にメッキを施す基板メッキ装置であって、該メッキ装置は基板を収容したカセットの受け渡しを行う搬入・搬出エリアと、メッキ処理を行うメッキエリアと、メッキ処理後の基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄・乾燥エリアを具備し、前記洗浄・乾燥エリアは前記搬入・搬出エリアと前記メッキエリアの間に配置され、前記搬入・搬出エリアと前記洗浄・乾燥エリアの間、前記洗浄・乾燥エリアと前記メッキエリアの間にはそれぞれ隔壁を設け、該隔壁には該隔壁で隔てられた両エリアに前記基板を受け渡すための通路を設けたことを特徴とする基板メッキ装置。
IPC (3):
H01L 21/288 ,  C25D 19/00 ,  H01L 21/304 651
FI (3):
H01L 21/288 E ,  C25D 19/00 B ,  H01L 21/304 651 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • ウエハ洗浄及び拡散システム
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-309302   Applicant:東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
  • ウエハ処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-023260   Applicant:ヤマハ株式会社
  • 半導体製造装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-358885   Applicant:日本電気株式会社

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