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J-GLOBAL ID：200903068225629160

シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品

Inventor： 野部 茂 ,  榎本 和宏 ,  桜井 治彰 ,  寺田 信子 ,  成田 武憲 ,  森嶋 浩之
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999274121
Publication number (International publication number)：2001098218
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Apr. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 デザインルールが0.15μmより微細化される半導体素子においても十分な動作性能が発揮できる層間絶縁膜として適用可能なシリカ系被膜、デザインルールが0.15μmより微細化される半導体素子においても十分な動作性能が発揮できるLSI等の半導体装置や多層配線板の層間絶縁膜として適用可能なシリカ系被膜を歩留まりよく簡便に得ることができるシリカ系被膜の形成方法及び前記のシリカ系被膜を有してなる信号遅延の少ない、高品位、高信頼性のLSI等の半導体装置、多層配線板などの電子部品を提供する。【解決手段】 膜の応力が40(MPa)以下であるシリカ系被膜、(a)空隙形成材及び(b)シロキサンオリゴマーが(c)有機溶剤に均一に溶解してなる組成物を基材に塗布し、空隙形成材とシロキサンオリゴマーが均一に相溶した複合膜を形成した後、シロキサンオリゴマーの縮合反応と空隙形成材の除去を行うことを特徴とする膜の応力が40(MPa)以下であるシリカ系被膜の形成方法並びに前記のシリカ系被膜を有する電子部品。

Claim (excerpt)：

膜の応力が40(MPa)以下であるシリカ系被膜。

IPC (8)：

C09D183/04 ,  B05D 5/00 ,  B05D 7/24 302 ,  C08J 9/26 102 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H05K 3/46

FI (8)：

C09D183/04 ,  B05D 5/00 J ,  B05D 7/24 302 Y ,  C08J 9/26 102 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/312 C ,  H05K 3/46 T ,  H01L 21/90 S

F-Term (69)：

4D075BB21Z ,  4D075BB26Z ,  4D075DC21 ,  4D075EB42 ,  4F074AA41 ,  4F074AA46 ,  4F074AA90 ,  4F074CB06 ,  4F074CB17 ,  4F074CC04X ,  4F074CC04Y ,  4F074CC06X ,  4F074CC10X ,  4F074CC22X ,  4F074CC32X ,  4F074CC32Y ,  4F074CE02 ,  4F074CE74 ,  4F074CE93 ,  4F074DA23 ,  4F074DA24 ,  4F074DA47 ,  4J002BD00X ,  4J002BD12X ,  4J002BD13X ,  4J002BD14X ,  4J002BG00X ,  4J002CF00X ,  4J002CH00X ,  4J002CM04X ,  4J002CP03W ,  4J002EC036 ,  4J002ED026 ,  4J002EH036 ,  4J002EH056 ,  4J002EL066 ,  4J002EU026 ,  4J002FD20X ,  4J002GH00 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA05 ,  4J038CG141 ,  4J038DL032 ,  4J038KA06 ,  5E346AA12 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346DD02 ,  5E346HH05 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 発泡ポリマーの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-086236   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-177695   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-177703   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-274120   Applicant：日立化成工業株式会社