ガス処理方法および装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996305490
Publication number (International publication number)：1998135125
Application date： Nov. 01, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】パーティクルの付着や処理の不均一等が生じず、良好なガス処理を行うことができるガス処理方法および装置を提供すること。【解決手段】処理室71内の被処理体Wの中央部に、被処理体Wに対して垂直に処理ガスを供給してガス処理を実施する工程と、ガス処理終了後、処理室71内に被処理体Wに対して処理ガスよりも傾いた角度で置換ガスを供給する工程と、処理ガスを供給する際および置換ガスを供給する際に、処理室71内を排気する工程とによりガス処理が終了する。

Claim (excerpt)：

処理室内の被処理体に対して処理ガスを供給してガス処理を実施する工程と、ガス処理終了後、前記処理室内に置換ガスを供給する工程と、前記処理ガス供給する際および前記置換ガスを供給する際に、前記処理室内を排気する工程と、を有し、前記処理ガスと前記置換ガスとを互いに異なる流路を通って供給することを特徴とするガス処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304 361

FI (5)：

H01L 21/30 563 , H01L 21/02 Z , H01L 21/205 , H01L 21/304 341 G , H01L 21/304 361 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

処理システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-202717 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
密着強化処理装置および密着強化処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-103987 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
半導体基板の処理方法及び半導体装置の処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-093664 Applicant：ソニー株式会社

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