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J-GLOBAL ID:200903007124217270
密着強化処理装置および密着強化処理方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994103987
Publication number (International publication number):1995312329
Application date: May. 18, 1994
Publication date: Nov. 28, 1995
Summary:
【要約】【目的】 密着強化剤の塗布処理終了後にその蒸気が装置外部に漏れることを良好に防止することが可能な密着強化処理装置および密着強化処理方法を提供する。【構成】 プレート10に対しチャンバ20が昇降可能となっており、チャンバ20が降下すると、プレート10とで密閉空間S1が形成されるとともに、カバー40とプレート10とで空間S2が形成される。空間S2にはHMDS供給ユニット50からHMDS蒸気が供給される。密閉空間S1には、排気ユニット30が接続されており、空間S2に供給された密着強化剤の蒸気をカバー40の開口41を介し密閉空間S1から排気する。そのため、密着強化処理装置の外部への当該蒸気の漏れが良好に防止される。
Claim (excerpt):
基板に密着強化剤の蒸気を供給して基板表面に密着強化剤を塗布する密着強化処理装置において、基板が載置され、載置された基板を支持する基板支持手段と、前記基板支持手段に支持された基板を包含する密閉空間を形成するチャンバ手段と、前記密閉空間に密着強化剤の蒸気を供給する密着強化剤供給手段と、前記密閉空間に供給された密着強化剤の蒸気を排気する排気手段と、を有することを特徴とする密着強化処理装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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フォトレジスト塗布前処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-165214
Applicant:日本電気株式会社
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特開平4-167515
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特開平3-203227
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特開平3-059559
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特開平1-137630
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処理方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-302998
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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処理ガス供給装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-352217
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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シランカップリング剤を用いた基板処理方法及び基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-189013
Applicant:ソニー株式会社
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半導体基板の処理方法及び半導体装置の処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-093664
Applicant:ソニー株式会社
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処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-034204
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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